[发明专利]高效率开关模式功率放大器

摘要

一种开关模式功率放大器包括能对超过1.0GHz的输入信号作出响应的晶体管，所述晶体管包括连接到地的一个端子和导电地连接到电源的另一个端子。谐振电路将第二端子连接到输出，该输出具有跨接在输出和地之间的电阻性负载。当该晶体管导通时，第二端子连接到地，当该晶体管截止时，从电源到第二端子的电流被引导至晶体管的内部电容中，使得第二端子上的电压升高到最大值并随后降低，第二端子处的电压通过谐振电路连接到输出端子。在优选实施例中，晶体管包括化合物半导体场效应晶体管，第一端子为源极端子，第二端子为漏极端子。场效应晶体管优选为化合物高电子迁移率晶体管(HEMT)或化合物MESFET，不过在其他实施例中，晶体管可以是化合物LDMOS、化合物双极晶体管或化合物MOSFET。

主权项

1.一种用于较高频率应用的开关模式功率放大器，包括：a)晶体管，所述晶体管具有第一端子、第二端子和控制端子并具有所述第一端子和第二端子之间的内部电容，b)连接到所述控制端子的信号输入端子，c)导电地连接到所述第二端子的功率端子，d)连接到所述第一端子的接地端子，e)将所述第二端子耦接到输出端子的谐振电路，以及f)将所述输出端子耦接到所述接地端子的电阻，由此，输入信号控制所述晶体管的导通，且当所述晶体管导通时所述第二端子耦接到地，从电源流往所述第二端子的电流增大，当所述晶体管截止时，来自所述电源的电流被引导到所述晶体管的内部电容中，使得所述第二端子上的电压升高到最大值并随后降低，所述第二端子处的电压通过所述谐振电路耦接到所述输出端子。