[发明专利]通过利用穿过栅极介质电流的电化学处理的栅极叠层设计无效
| 申请号： | 200580047267.5 | 申请日： | 2005-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101111927A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | P·M·韦雷肯;V·巴斯克尔;C·小卡布拉尔;E·I·库珀;H·德利吉安尼;M·M·弗兰克;R·詹米;V·K·帕鲁丘里;K·L·森格尔;邵晓燕 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L29/745 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于在栅极介质(2)上电镀栅极金属(9)或其它导体或半导体材料的方法。该方法包括选择衬底(3，4)，介质层，和电解质溶液或熔液，其中衬底，介质层，和电解质溶液或熔液的组合允许在介质层和电解质溶液或熔液之间的界面处产生电化学电流。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 利用 穿过 栅极 介质 电流 电化学 处理 设计 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理至少一种介质的方法，包括如下步骤：(i)在导体和/或半导体衬底上提供至少一种介质，其中所述至少一种介质至少部分浸入电解质溶液或熔液中，所述电解质溶液或熔液包括至少一种活性成分用于电化学处理；(ii)提供至少部分浸入所述电解质溶液或熔液中的至少一个辅助电极；以及(iii)在所述衬底和所述辅助电极之间施加电流或电压，使所述电流穿过所述介质流到所述辅助电极，促使所述介质处的电化学处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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