[发明专利]改进器件性能的双硅化物工艺无效
| 申请号： | 200580047269.4 | 申请日： | 2005-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101124671A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 约汉·J.·爱丽斯－蒙娜甘;戴尔·W.·马丁;威廉·J.·墨菲;詹姆斯·S.·纳考斯;科克·皮特森 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/772;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，包括具有p型器件区(20)和n型器件区(10)的衬底；到n型器件区(10)的第一型硅化物触点(30)；第一型硅化物具有与n型器件区导带基本上对齐的功函数；以及到p型器件区(20)的第二型硅化物触点(35)；第二型硅化物具有与p型器件区价带基本上对齐的功函数。本发明也提供一种半导体结构及其形成方法，其中选择硅化物触点材料和硅化物触点处理条件以提供pFET和nFET器件中基于应变的器件改进。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 器件 性能 双硅化物 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：在第一器件区中具有p型器件且在第二器件区中具有n型器件的衬底；到所述第二器件区中所述n型器件的第一型硅化物触点；所述第一型硅化物具有与所述第二器件区中所述n型器件的导带基本上对齐的功函数；以及到所述第一器件区中所述p型器件的第二型硅化物触点；所述第二型硅化物具有与所述第一器件区中所述p型器件的价带基本上对齐的功函数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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