[发明专利]用于在等离子体工艺中顺序交替以优化衬底的方法和装置有效
| 申请号： | 200580047715.1 | 申请日： | 2005-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101287860A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 阿德里安·基尔迈森;塔玛拉克·潘杜姆索波尔恩;阿尔弗德·科弗 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C23F1/00 | 分类号： | C23F1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了在等离子体处理系统中用于优化衬底蚀刻的方法。该方法包括选择包括第一工艺变量的第一等离子体工艺配方，其中，通过第一数量改变第一工艺变量使第一衬底蚀刻特性优化而使第二衬底蚀刻特性恶化。该方法还包括选择包括第二工艺变量的第二等离子体工艺配方，其中，通过第二数量改变第二等离子体工艺变量使第一衬底蚀刻特性恶化而使第二衬底蚀刻特性优化。本方法还包括：将衬底定位在等离子体处理室中的卡盘上；以及在等离子体处理室内撞击等离子体。该方法还包括在第一等离子体配方和第二等离子体配方之间进行交替，其中，一旦完成该交替，则第一衬底蚀刻特性和第二衬底蚀刻特性被充分优化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 工艺 顺序 交替 优化 衬底 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在等离子体处理系统中用于优化衬底的蚀刻的方法，包括：选择包括第一工艺变量的第一等离子体工艺配方，其中，通过第一数量改变所述第一工艺变量使第一衬底蚀刻特性优化而使第二衬底蚀刻特性恶化；选择包括第二工艺变量的第二等离子体工艺配方，其中，通过第二数量改变所述第二工艺变量使所述第一衬底蚀刻特性恶化而使所述第二衬底蚀刻特性优化；将衬底定位在等离子体处理室中的卡盘上；在所述等离子体处理室内撞击等离子体；在所述第一等离子体配方和所述第二等离子体配方之间进行交替，其中，一旦完成所述交替，则所述第一衬底蚀刻特性和所述第二衬底蚀刻特性被充分优化。
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