[发明专利]非易失性聚合物双稳态存储器件

摘要

本发明涉及一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件使用嵌入到没有源极和漏极区域的聚合物薄膜中的多层自组装Ni_1－xFe_x纳米晶体阵列。根据本发明可以比现有方法更简单地制造纳米晶体。更具体地，可以控制纳米晶体的尺寸和密度，而不需要晶体的结块，因为具有一致分布的晶体被聚合物层包围。此外，本发明提供了非易失性双稳态存储器件，具有比现有的具有纳米浮栅的闪存存储器件更高效率和更低成本的化学的和电的稳定性。另外，在本发明的器件中，源极和漏极区不是必需的，这可以减少生产时间和成本。

主权项

1.一种非易失性双稳态器件，包括：半导体衬底；绝缘层，形成于半导体衬底上；绝缘层上的第一电极；由形成于第一电极上的聚合物薄膜中的Ni1-xFex纳米晶体构成的多层双稳态络合物；以及双稳态络合物上的第二电极，其由所述聚合物薄膜电气分开地形成。