[发明专利]用于生长GaN晶片的晶片承载器无效
申请号: | 200580048064.8 | 申请日: | 2005-02-16 |
公开(公告)号: | CN101115862A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | V·博古斯拉夫斯基;A·古拉里;R·A·斯托尔 | 申请(专利权)人: | 维高仪器股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;H01L21/027;B65G65/04;B25B11/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 朱黎明 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于生长晶片的晶片承载器(224),包括具有第一表面(226)和第二表面(228)的板(225)、从板(225)的第一表面(26)延伸到第二表面(228)的多个开口(230)以及设置在多个开口(230)的每一个中的多孔元件(236),每一个多孔元件(236)适于支承一个或多个晶片。晶片承载器(224)还具有从板(225)的第二表面(228)向第一表面(226)延伸的中心盲孔(244)以及从中心盲孔(244)向外延伸的多个通道(242)。每一个通道(242)具有与中心盲孔(244)连通的第一端和与多孔元件(236)中的一个连通的第二端,用于提供中心盲孔(244)和多孔元件中的一个之间的流体连通。通过穿过中心盲孔(244)和通道(242)抽真空来在每一个多孔元件(236)的表面处形成吸力。 | ||
搜索关键词: | 用于 生长 gan 晶片 承载 | ||
【主权项】:
1.一种用于生长晶片的晶片承载器,包括:具有第一表面和第二表面的板;至少一个从所述板的第一表面延伸到第二表面的开口;设置在所述板中的所述至少一个开口中的多孔元件,所述多孔元件适于支承一个或多个晶片;从所述板的第二表面向第一表面延伸的盲孔;在所述盲孔和所述多孔元件之间延伸的至少一个通道,用于在所述盲孔和所述多孔元件之间形成流体连通,通过穿过所述盲孔和所述至少一个通道抽真空来在所述多孔元件的表面处形成吸力。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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