[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
申请号: | 200580048477.6 | 申请日: | 2005-02-18 |
公开(公告)号: | CN101124672A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | 马渡博史 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L21/8247 | 分类号: | H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵淑萍 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种非易失性半导体存储装置,能使存储单元面积小并且精度好地高速动作。使扩散层(2a)、(2b)形成为蜂窝状,并且使它们错开四分之一间隔进行配置,在ODD_WL0、WL1横穿扩散层(2a)的位置与EVEN_WL0、WL1横穿扩散层(2b)的位置,形成存储晶体管(MemoryTr)和选择晶体管(SelectTr)。此时,与各扩散层(2a)、(2b)连接的ODD_BL0、BL1之间形成存储单元(E1)、(E2),在EVEN_BL0、BL1之间形成存储单元(E3)、(E4),由此配置存储晶体管和选择晶体管。由此,即使设计选择晶体管,也能使多个存储单元在较小的设计面积上进行阵列配置。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性半导体存储装置,其特征在于,具有被形成在半导体基板内且各自的平面形状是蜂窝状的多个扩散层,并在所述扩散层中具有含有源极区域以及漏极区域的存储晶体管和选择晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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