[发明专利]非易失性半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 200580048477.6 申请日: 2005-02-18
公开(公告)号: CN101124672A 公开(公告)日: 2008-02-13
发明(设计)人: 马渡博史 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L21/8247 分类号: H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 赵淑萍
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种非易失性半导体存储装置,能使存储单元面积小并且精度好地高速动作。使扩散层(2a)、(2b)形成为蜂窝状,并且使它们错开四分之一间隔进行配置,在ODD_WL0、WL1横穿扩散层(2a)的位置与EVEN_WL0、WL1横穿扩散层(2b)的位置,形成存储晶体管(MemoryTr)和选择晶体管(SelectTr)。此时,与各扩散层(2a)、(2b)连接的ODD_BL0、BL1之间形成存储单元(E1)、(E2),在EVEN_BL0、BL1之间形成存储单元(E3)、(E4),由此配置存储晶体管和选择晶体管。由此,即使设计选择晶体管,也能使多个存储单元在较小的设计面积上进行阵列配置。
搜索关键词: 非易失性 半导体 存储 装置
【主权项】:
1.一种非易失性半导体存储装置,其特征在于,具有被形成在半导体基板内且各自的平面形状是蜂窝状的多个扩散层,并在所述扩散层中具有含有源极区域以及漏极区域的存储晶体管和选择晶体管。
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