[发明专利]荧光X射线分析装置和其所采用的程序有效

专利信息
申请号: 200580049351.0 申请日: 2005-12-08
公开(公告)号: CN101151524A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 河原直树;原真也 申请(专利权)人: 理学电机工业株式会社
主分类号: G01N23/223 分类号: G01N23/223
代理公司: 北京三幸商标专利事务所 代理人: 刘激扬
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种荧光X射线分析装置等,其通过FP法对试样的组分、面积密度进行分析,针对各种试样,可按照简便、并且将几何效果充分符合现实而添加的方式计算理论强度,足够正确地进行定量分析。包括计算机构(10),该计算机构(10)根据假定的组分,计算从试样(13)的各元素产生的二次X射线(6)的理论强度,按照该理论强度与通过上述检测机构(9)测定的测定强度换算为理论强度值的换算测定强度一致的方式,逐次近似地修正计算假定的组分,计算试样(13)的组分,上述计算机构(10)每当计算理论强度时,将试样(13)的大小与照射到试样表面(13a)的各位置的一次X射线(2)的强度和入射角φ作为参数,针对各光路模拟计算二次X射线(6)的理论强度。
搜索关键词: 荧光 射线 分析 装置 采用 程序
【主权项】:
1.一种荧光X射线分析装置,其包括:对试样照射一次X射线的X射线源;检测机构,该检测机构测定从该试样产生的二次X射线的强度;计算机构,该计算机构根据假定的组分,计算从试样中的各元素产生的二次X射线的理论强度,按照该理论强度与通过上述检测机构测定的测定强度换算为理论强度值的换算测定强度一致的方式,逐次近似地修正计算上述假定的组分,计算试样的组分;上述计算机构每当计算上述理论强度时,将试样的大小与照射到试样表面的各位置的一次X射线的强度和入射角作为参数,针对各光路模拟计算二次X射线的理论强度。
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