[发明专利]硅单晶的培育方法、以及硅晶片和使用该硅晶片的SOI衬底有效
| 申请号： | 200580049409.1 | 申请日： | 2005-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101155950A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 小野敏昭;杉村涉;宝来正隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社SUMCO |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;H01L21/322;H01L21/02;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 庞立志;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 按照本发明的硅单晶的培育方法，由于通过使培育装置内的惰性气氛中的氢分压为40Pa～400Pa，以及将单晶直胴部培育成不存在Grown－in缺陷的无缺陷区域，制造采用CZ法的硅单晶，故可容易截取整个面不存在Grown－in缺陷，系由无缺陷区域构成，且BMD足够且均匀地形成的晶片。这样的晶片可大幅度减少在其上所形成的集成电路的特性不合格品的发生，作为与电路的微细化和高密度化对应的衬底，有助于制造成品率的提高，可广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 培育 方法 以及 晶片 使用 soi 衬底 | ||
【主权项】：
1.硅单晶的培育方法，其特征在于，在用切克劳斯基法进行的硅单晶的培育中，使培育装置内的惰性气氛中的氢分压为40Pa～400Pa，将单晶直胴部培育成不存在Grown-in缺陷的无缺陷区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社SUMCO，未经株式会社SUMCO许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580049409.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种水性聚安酯用于涂布底胶的使用方法及产品
- 下一篇：液压弯辊装置
