[发明专利]Ⅲ族氮化物白光发光二极管有效
| 申请号： | 200580049629.4 | 申请日： | 2005-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101208810A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡树仁;陈鹏;高须贺英良 | 申请（专利权）人： | 科技研究局;住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20;H01L29/15 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦;方挺 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 一种由金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备的白光发光二极管，可通过在单重或多重InxGa1－xN/InyGa1－yN量子阱(QW)内覆盖氮化铟(InN)量子点(QD)和富铟的氮化铟镓(InGaN)量子点而产生覆盖所有可见光谱区的宽带发射光，量子点的覆盖是通过引入作为用于在QW内生长QD的核子的三甲基铟(TMIn)、三乙基铟(TEIn)和乙基二甲基铟(EDMIn)中的至少一种的释放而实现的。因此，该二极管可通过调整In释放参数发射出在400nm至750nm范围内的白光。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 白光 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种白光发光二极管，包括：衬底；缓冲层，形成在所述衬底上，所述缓冲层被分为第一部分和第二部分；至少一个量子阱结构，包括围绕InN量子点和富铟的InGaN量子点的InxGa1-xN/InyGa1-yN量子阱/阻挡层双层，所述量子阱结构形成在所述缓冲层的所述第一部分上；p型半导体，形成在所述至少一个量子阱结构上；第一电极，形成在所述p型半导体上；以及第二电极，形成在所述缓冲层的所述第二部分的至少一部分上。
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