[发明专利]含有低分子量涂布剂的新型水溶性纳米晶及其制备方法无效
| 申请号： | 200580050209.8 | 申请日： | 2005-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101208605A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 韩明勇;王夫轲 | 申请（专利权）人： | 新加坡科技研究局 |
| 主分类号： | G01N33/58 | 分类号： | G01N33/58;G01N33/533;G01N21/64;C07C323/25;B82B1/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周建秋;王凤桐 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种水溶性纳米晶，该水溶性纳米晶具有纳米晶核，该纳米晶核含有选自元素周期系(PSE)的第II主族、VIIA主族、VIIA副族、IB副族、IIB副族、III主族或IV主族元素中的至少一种金属M1，选自PSE的第V主族或VI主族中的至少一种元素A；附着到纳米晶核表面的封闭剂，所述封闭剂具有至少两个偶合基团；以及含有具有至少两个与涂布剂共价偶合的偶合部分和至少一个使所述第二层具有水溶性的水溶性基团的低分子量涂布剂的第二层。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 分子量 涂布剂 新型 水溶性 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种水溶性纳米晶，该纳米晶包括：纳米晶核，该纳米晶核含有选自元素周期系的第Ib副族、IIb副族、IVb副族、Vb副族、VIb副族、VIIb副族、VIIIb副族、II主族、III主族或IV主族元素中的至少一种金属M1，并且所述纳米晶还包括第一层，该第一层含有附着到纳米晶核表面的封闭剂，所述封闭剂具有至少两个偶合基团，和第二层，该第二层含有低分子量涂布剂，该涂布剂具有至少两个与该涂布剂共价偶合的偶合基团，和至少一个使该第二层具有水溶性的水溶性基团。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新加坡科技研究局，未经新加坡科技研究局许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580050209.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高强度铝镁硅合金线的制造方法
- 下一篇：语言学习系统及方法
