[发明专利]硅晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 200580050229.5 | 申请日： | 2005-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101238557A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 杉村涉;小野敏昭;宝来正隆 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/324;H01L21/26;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在含有含氢原子的物质的气体的惰性环境气体中，通过CZ法生长硅单晶。对通过生长的硅单晶得到的晶片在非氧化环境气体中、于1000℃～1300℃下实施高温热处理。此时，在高温热处理步骤之前，在低于此温度的温度下实施低温热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶片的制造方法，其为硅单晶晶片的制造方法，该方法包括：在含有含氢原子的物质的气体的惰性环境气体中，通过CZ法生长硅单晶的步骤，由所述硅单晶切出晶片的步骤，在非氧化环境气体中、于1000℃～1300℃下对所述晶片实施热处理的高温热处理步骤，在所述高温热处理步骤之前，在低于该热处理温度的温度下，对所述晶片实施热处理的低温热处理步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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