[发明专利]用于材料构图的硬掩模结构有效
| 申请号： | 200580051001.8 | 申请日： | 2005-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101300661A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·C.·盖蒂斯;斯瓦南达·K.·卡纳卡萨巴帕西;欧格尼·J.·奥沙利文 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B05C1/00;B44C1/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供磁性器件制造的技术。在一个方面，对至少一种例如非挥发性材料构图的方法包括下面的步骤。硬掩模结构形成在将要构图的材料的至少一个表面上。硬掩模结构配置成具有最接近材料的基底，以及与基底相对的顶部。基底具有比硬掩模结构顶部的一个或多个横向尺寸大的一个或多个横向尺寸，使得基底的至少一部分横向延伸到顶部之外一段距离。硬掩模结构的顶部处于距离被刻蚀的材料比基底更大的垂直距离处。刻蚀材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 材料 构图 硬掩模 结构 | ||
【主权项】：
1.一种对至少一种材料构图的方法，该方法包括步骤：在将要构图的材料的至少一个表面上形成硬掩模结构，硬掩模结构配置成具有最接近材料的基底，以及与基底相对的顶部，基底具有比硬掩模结构顶部的一个或多个横向尺寸大的一个或多个横向尺寸，使得基底的至少一部分横向延伸到顶部之外一段距离，硬掩模结构的顶部处于距离被刻蚀的材料比基底更大的垂直距离处；以及刻蚀材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
