[发明专利]SIMOX基板的制造方法以及由该方法得到的SIMOX基板

摘要

本发明涉及可以将器件步骤中的重金属污染有效地捕获在基板内部的SIMOX基板的制造方法，其包含向晶片内部注入氧离子的步骤；和在规定气体气氛中、在1300－1390℃下对晶片实施第1热处理而形成埋氧层，同时在晶片表面形成SOI层的步骤；其中注入氧离子之前的晶片具有8×10¹⁷－1.8×10¹⁸个原子/cm³(旧ASTM)的氧浓度，埋氧层在晶片上整面形成，并包含在规定气体气氛中，将经第1热处理的晶片在400－900℃下进行1－96小时的第2热处理，在比在埋氧层紧邻下方形成的缺陷聚集层更下方的体层中形成氧析出核的步骤；和在规定气体气氛中，将经第2热处理的晶片在比第2热处理温度高的900－1250℃下进行1－96小时的第3热处理，使形成的氧析出核生长为氧析出物的步骤。

主权项

1.SIMOX基板的制造方法，该方法包含以下步骤：向硅晶片(11)的内部注入氧离子的步骤；在氧和惰性气体的混合气体气氛中、在1300-1390℃下对上述晶片(11)实施第1热处理，由此在距上述晶片(11)表面规定深度的区域形成埋氧层(12)，同时在上述埋氧层(12)上的晶片表面形成SOI层(13)的步骤；其中上述注入氧离子之前的硅晶片(11)具有8×1017-1.8×1018个原子/cm3(旧ASTM)的氧浓度，上述埋氧层(12)在晶片上整面形成，并包含以下步骤：在氧、氮、氩、氢或它们的混合气体气氛中，将上述经第1热处理的晶片在400-900℃下进行1-96小时的第2热处理，由此在比在上述埋氧层(12)紧邻下方形成的缺陷聚集层(14a)更为下方的体层(14)中形成氧析出核(14b)的步骤；和在氧、氮、氩、氢或它们的混合气体气氛中，将上述经第2热处理的晶片在比上述第2热处理温度高的900-1250℃下进行1-96小时的第3热处理，由此使在上述体层(14)中形成的氧析出核(14b)生长为氧析出物(14c)的步骤。