[发明专利]曝光用掩模及其制造方法、图案复制方法、图案形成方法及SRAM的制造方法

摘要

准备形成有掩模图案的掩模，其中所述掩模图案具有将原图案分离为至少两个部分图案的形状，所述至少两个部分图案是隔着比分辨率极限细的间隔而配置的。获得第一关系，所述第一关系为隔开部分图案的间隔宽度和在复制该掩模图案时形成于衬底上的图案的尺寸之间的关系。根据需形成在衬底上的图案尺寸和第一关系，决定使构成掩模图案的部分图案相互隔开的间隔宽度。基于所决定的间隔宽度，在掩模上形成分离为至少两个部分图案的掩模图案。

主权项

1.一种曝光用掩模的制造方法，其特征在于，包括：工序a，形成掩模图案，并获得第一关系，其中，所述掩模图案具有将原图案分离为至少两个部分图案的形状，所述至少两个部分图案相隔比分辨率极限还细的间隔而配置，所述第一关系为隔开部分图案的间隔宽度和在复制该掩模图案时形成于衬底上的图案的尺寸之间的关系；工序b，根据需形成在衬底上的图案的尺寸和所述第一关系，决定使构成掩模图案的部分图案相互隔开的间隔宽度；工序c，基于在所述工序b中所决定的间隔宽度，在掩模上形成分离为至少两个部分图案的掩模图案。