[发明专利]在双镶嵌互连上的覆盖层的形成有效
| 申请号： | 200580051468.2 | 申请日： | 2005-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101292343A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 亚诺什·法尔卡斯;林恩·M·迈克尔森;斯尔詹·科尔迪克 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种在用于半导体器件的导电互连上形成覆盖层的方法，所述方法包括下列步骤：(a)在电介质层中安置一个或多个导体；和(b)在一个或多个导体的至少一些的上表面上沉积覆盖层，其特征在于所述方法还包括：(C)在沉积所述覆盖层之前，使所述电介质层与在液相中的有机化合物反应的步骤，所述有机化合物具有下列通式I，其中X是官能团，R是有机基团或有机硅氧烷基，Y1是官能团或有机基团或有机硅氧烷基，并且Y2是官能团或有机基团或有机硅氧烷基，并且其中所述一个或多个官能团独立地选自下列：NH2、仲胺、叔胺、乙酰胺、三氟乙酰胺、咪唑、脲、OH、烷氧基、丙烯酰氧基、乙酸酯、SH、烷基硫醇、磺酸酯、亚甲基磺酸酯和氰化物以及它们的盐。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 互连 覆盖层 形成 | ||
【主权项】：
1.一种在用于半导体器件的导电互连上形成覆盖层的方法，所述方法包括下列步骤：(a)在电介质层中安置一个或多个导体；和(b)在所述一个或多个导体的至少一些的上表面上沉积覆盖层，其特征在于所述方法还包括：(C)在沉积所述覆盖层之前，使所述电介质层与在液相中的有机化合物反应的步骤，所述有机化合物具有下列通式：![]()
(式I)其中X是官能团，R是有机基团或有机硅氧烷基团，Y1是官能团或有机基团或有机硅氧烷基团，并且Y2是官能团或有机基团或有机硅氧烷基团，并且其中所述一个或多个官能团独立地选自下列：NH2、仲胺、叔胺、乙酰胺、三氟乙酰胺、咪唑、脲、OH、烷氧基、丙烯酰氧基、乙酸酯、SH、烷基硫醇、磺酸酯、亚甲基磺酸酯和氰化物以及它们的盐。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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