[发明专利]检测用于形成半导体器件的浆料的方法无效
| 申请号： | 200580051929.6 | 申请日： | 2005-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101316909A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 菲利普·莫努瓦耶;雅诺什·法尔卡斯;法里迪·瑟贝 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | C09G1/00 | 分类号： | C09G1/00;G01N15/04;H01L21/30 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法，该方法包括提供半导体衬底，向半导体衬底上施加浆料，其中使用检测方法检测该浆料，该检测方法包括从浆料顶部获取(12)第一未稀释样品；确定(18)第一未稀释样品的第一颗粒大小分布特征；从浆料底部获取(14)第二未稀释样品；确定(19)第二未稀释样品的第二颗粒大小分布特征；并且将第一颗粒大小分布特征和第二颗粒大小分布特征之间的差值与第一预定值比较(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 用于 形成 半导体器件 浆料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法(10)，该方法特征在于：向半导体衬底施加浆料，其中使用下述检测方法检测所述浆料，该检测方法特征在于：从所述浆料顶部获取(12)第一未稀释样品；确定(18)所述第一未稀释样品的第一颗粒大小分布特征；从所述浆料底部获取(14)第二未稀释样品；确定(19)所述第二未稀释样品的第二颗粒大小分布特征；以及将所述第一颗粒大小分布特征和所述第二颗粒大小分布特征之间的差值与第一预定值比较(20)。
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