[发明专利]制备纳米多孔二氧化硅的装置及其方法有效

专利信息
申请号: 200580052103.1 申请日: 2005-12-02
公开(公告)号: CN101312908A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 梁庆周;金镇洙;金锺吉;申桐喜 申请(专利权)人: E&B纳米技术株式会社
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人: 王达佐;韩克飞
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明生产涉及无定形纳米多孔二氧化硅的装置和方法以及通过该方法制备的无定形纳米多孔二氧化硅,所述装置和方法能够通过使用高速反应喷嘴产生涡流以精确的当量比混合源材料,并能够使用进行高速搅拌和低速搅拌的连续循环聚合釜控制物理性质,所述无定形纳米多孔二氧化硅的比表面积为100m2/g至850m2/g、孔径为2nm至100nm、孔容积为0.2mL/g至2.5mL/g。
搜索关键词: 制备 纳米 多孔 二氧化硅 装置 及其 方法
【主权项】:
1.用于生产无定形纳米多孔二氧化硅的装置,其包括:由硅酸盐定量进料器、无机酸定量进料器、控制硅酸盐和无机酸当量比的定量泵和控制由所述定量泵产生的波动的防波动气室组成的源材料进料器;与所述源材料进料器连接并装有产生所述硅酸盐和所述无机酸的涡流的喷嘴的高速瞬时反应器;和与所述高速瞬时反应器连接并由最大搅拌速率为100rpm至20000rpm的高速搅拌反应池、在10rpm至100rpm下提供搅拌的低速搅拌反应池以及为高速搅拌反应池和低速搅拌反应池提供连续循环的循环泵组成的连续循环聚合釜。
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