[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200580052447.2 | 申请日： | 2005-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101351880A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 菅原弘纪;永井孝一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/105 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在半导体衬底(1)的上方，形成了铁电电容器之后，形成布线(24a)。形成将布线(24a)覆盖的阻挡膜(25)。形成氧化硅膜(26)，该氧化硅膜(26)填埋相邻布线(24a)之间的间隙。通过CMP法研磨氧化硅膜(26)，直到阻挡膜(25)的表面露出为止。在阻挡膜(25)及氧化硅膜(26)上形成阻挡膜(27)。形成作为阻挡膜(25、27)的氧化铝膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：铁电电容器，其形成在半导体衬底的上方，并且具有下部电极、铁电膜以及上部电极；第一布线，其形成在所述铁电电容器的上方，并且所述第一布线的一部分与所述上部电极和下部电极中的至少一个连接；阻挡层，其直接覆盖所述第一布线，用于防止氢或者水分的扩散，而且所述阻挡层的表面平坦；层间绝缘膜，其形成在所述阻挡层上；第二布线，其形成在所述层间绝缘膜上，并且所述第二布线的一部分与所述第一布线连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580052447.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
