[发明专利]操作具有非易失性存储单元与存储器阵列的方法有效
| 申请号： | 200610000205.5 | 申请日： | 2006-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN1848457A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/112;H01L27/115;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 台湾省新竹县新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明披露存储单元连同其阵列及操作方法，上述这些存储单元包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，其设置于该隧道介电结构上；绝缘层，其设置于该电荷储存层上；及栅极电极，其设置于该绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 具有 非易失性 存储 单元 存储器 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作包含多个设置在半导体基板上的存储单元的存储器阵列的方法，其特征是上述这些存储单元各包含：源极区及漏极区，其设置于该基板的表面下且由通道区分离；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，其设置于该隧道介电结构上；绝缘层，其设置于该电荷储存层上；及栅极电极，其设置于该绝缘层上；该方法包含：施加自收敛重设/擦除电压至欲重设/擦除的各存储单元中的该基板及该栅极电极；对该多个存储单元中至少其中一个编程；及通过施加在上述这些存储元件中至少其中一个的擦除状态电平和编程状态电平间的电压，读取该多个存储单元中至少其中一个。
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