[发明专利]相变化存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610000272.7 | 申请日： | 2006-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101000944A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 许宏辉;李乾铭;王文翰;李敏鸿;赵得胜;卓言;陈颐承;陈维恕 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;徐金国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变化存储元件及其制造方法，主要是将相变层刻蚀成一锥形结构，并将相变层上的介电层平坦化，直至露出锥形结构的顶端，由显露出的锥形结构的顶端与加热电极接触。如此一来，将相变层的顶端露出的面积控制在极小尺寸内，即可缩小相变层与加热电极的接触面积，进而降低其操作电流。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种相变化存储元件的制造方法，其特征在于，包括有下列步骤：提供一第一介电层，且在该第一介电层中具有一第一电极；在该第一介电层和该第一电极上沉积一相变层；将该相变层刻蚀成一锥形结构，其中该锥形结构的顶端远离该第一电极的部位，该锥形结构的底部靠近该第一电极的部位，且该锥形结构的底部的面积大于该锥形结构的顶端的面积；沉积一第二介电层于该相变层上；平坦化该第二介电层，直至露出该锥形结构的顶端；以及在露出的该锥形结构的该顶端上形成一电极。
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