[发明专利]半导体装置及其安装体无效
| 申请号： | 200610000339.7 | 申请日： | 2006-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1812081A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 井上泰造;北崎健三;重谷寿士;麦谷英儿 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 韩登营 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有柱状电极的半导体装置，所述柱状电极具有仅与柱状部的上表面接合的球状的低熔点层。当设各低熔点层(24)的体积为A、各柱状部(22)的上表面的面积为B时，通过调整低熔点层(24)的镀敷量和柱状部(22)的截面面积以满足A≤1.3×B1.5的关系，由此，当低熔点层(24)通过软熔形成球状时，可以防止该低熔点层(24)流淌到柱状部(22)的侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 安装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有多个被设置在半导体基板上的柱状电极，所述半导体装置的特征在于：上述柱状电极具有柱状部和金属球部，所述柱状部由导电材料构成；所述金属球部由熔点比上述柱状部低的导电材料形成，并被接合在上述柱状部的上表面上；当设上述金属球部的体积为A、上述柱状部的上表面的面积为B、在上述柱状部的上表面上形成的起伏部的体积为E时，上述柱状电极具有A-E≤1.3×B1.5的关系。
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