[发明专利]半导体集成电路无效
申请号: | 200610000509.1 | 申请日: | 2006-01-09 |
公开(公告)号: | CN1812099A | 公开(公告)日: | 2006-08-02 |
发明(设计)人: | 荒川朋文;大森睦弘 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/52 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 董方源 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 包括多个互连层和至少一连接相邻互连层互连的过孔的半导体IC,其中每个互连层具有排列成矩阵的多个第一和第二互连组,第一互连组包括沿矩阵行方向延伸且沿列方向并排排列的多个第一互连,第二互连组包括沿列方向延伸且沿行方向并排排列的多个第二互连,第一和第二互连组沿矩阵每行每列交替排列,第一和第二互连组在相邻互连层之间彼此面对,上述第一和第二互连组具有在此其可经过孔相连的交叉部分,每个第一互连组和沿行方向与在层之间面对该第一互连组的第二互连组相邻的第一互连组具有在此其可经过孔相连的重叠部分,每个第二互连组和沿列方向与在层之间面对该第二互连组的第一互连组相邻的第二互连组具有在此其可经过孔相连的重叠部分。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,包括:多个互连层;和连接两个相邻互连层的互连的至少一个过孔,其中每个互连层包括排列成矩阵形式的多个第一互连组和多个第二互连组,每个第一互连组包括沿矩阵的行方向延伸并且沿矩阵的列方向并排排列的多个第一互连,每个第二互连组包括沿所述列方向延伸并且沿所述行方向并排排列的多个第二互连,所述第一互连组和所述第二互连组沿矩阵的每行和每列交替排列,所述第一互连组和所述第二互连组在两个相邻的互连层之间彼此面对地排列,在所述层之间彼此面对的所述第一互连组和所述第二互连组具有交叉部分,在交叉部分处其可经由过孔相连,每个第一互连组和沿所述行方向与在层之间面对该第一互连组的第二互连组相邻的第一互连组包括重叠部分,在重叠部分处其可经由过孔相连,并且每个第二互连组和沿所述列方向与在层之间面对该第二互连组的第一互连组相邻的第二互连组具有重叠部分,在重叠部分处其可经由过孔相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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