[发明专利]用于改进间隙填充应用的高产能HDP－CVD处理

摘要

本发明提供了在布置在衬底处理室中的衬底上沉积硅氧化物膜的方法。衬底具有形成在相邻突起表面之间的间隙。含硅气体、含氧气体、和流动气体流入衬底处理室中。流动气体具有小于5amu的平均分子量。由含硅气体、含氧气体、和流动气体形成第一高密度等离子体以利用第一沉积处理将硅氧化物膜的第一部分沉积在衬底之上和间隙内，第一沉积处理具有同时进行的由第一沉积/溅射比界定相对份额的沉积部分和溅射部分。由含硅气体、含氧气体、和流动气体形成第二高密度等离子体以利用第二沉积处理将硅氧化物膜的第二部分沉积在衬底之上和间隙内，第二沉积处理具有同时进行的由第二沉积/溅射比界定相对份额的沉积部分和溅射部分。第二沉积/溅射比小于第一沉积/溅射比。第一和第二沉积/溅射比中的每个都被定义为净沉积速率和覆盖溅射速率的和与覆盖溅射速率的比。

主权项

1.一种在布置在衬底处理室中的衬底上沉积硅氧化物膜的方法，所述衬底具有在相邻突起表面之间形成的间隙，所述方法包括：使含硅气体流入到所述衬底处理室中；使含氧气体流入到所述衬底处理室中；使具有小于5amu平均分子量的流动气体流入所述衬底处理室中；由所述含硅气体、所述含氧气体、和所述流动气体形成第一高密度等离子体以利用第一沉积处理将所述硅氧化物膜的第一部分沉积在所述衬底之上和所述间隙内，所述第一沉积处理具有同时进行的由第一沉积/溅射比界定相对份额的沉积部分和溅射部分；和由所述含硅气体、所述含氧气体、和所述流动气体形成第二高密度等离子体以利用第二沉积处理将所述硅氧化物膜的第二部分沉积在所述衬底之上和所述间隙内，所述第二沉积处理具有同时进行的由第二沉积/溅射比界定相对份额的沉积部分和溅射部分，其中所述第二沉积/溅射比小于所述第一沉积/溅射比，其中所述第一和第二沉积/溅射比中的每个都被定义为净沉积速率和覆盖溅射速率的和与所述覆盖溅射速率的比。