[发明专利]实现补偿杂质区的方法和半导体器件结构无效
| 申请号： | 200610000591.8 | 申请日： | 2006-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN1825552A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | O·多库马奇 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了实现当栅极长度增加时产生更多补偿掺杂的补偿注入的方法和所得结构。具体地说，本发明在镶嵌工艺期间通过栅极开口实施倾斜补偿注入，以使补偿杂质的浓度随栅极长度的增加而增加。以这种方式，较长器件的阈值电压的减小远大于较短器件的阈值电压的减小，由此在不影响较短器件的阈值电压的情况下将较长器件的阈值电压减小到可接受的水平。本发明尤其适用于超陡峭倒退阱。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 补偿 杂质 方法 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种实现补偿杂质区的方法，所述方法包括以下步骤：提供包括围绕栅极材料区和栅极介质的隔离物的栅极电极，所述栅极电极位于衬底中的阱之上；在所述栅极电极周围形成平面介质层；从所述栅极电极除去所述栅极材料区和所述栅极介质以形成栅极开口；实施倾斜注入进入所述栅极开口以在所述阱中形成所述补偿杂质区；以及退火以激活所述补偿杂质区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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