[发明专利]栅氧化层之制备方法有效
| 申请号： | 200610001049.4 | 申请日： | 2006-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101005030A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 陈中怡;朱志勋;周志文 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/283;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王昕 |
| 地址： | 台湾省新竹市科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种栅氧化层制备方法首先形成至少两条沟槽于基板之中，这两条沟槽之间形成主动区域。之后，形成介电区块于该沟槽之中，该介电区块之上表面不对齐该基板之上表面。接着，进行掺杂工艺，将含氮掺质植入该主动区域之基板中，该主动区域中心处之基板内的含氮掺质浓度高于该主动区域边缘处。然后，进行热氧化工艺以形成栅氧化层于该主动区域之基板的上表面。通过该含氮掺质抑制热氧化反应速率，可避免该主动区域边缘处之栅氧化层厚度小于该主动区域中心处之栅氧化层厚度的情形发生。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅氧化层之制备方法，其特征是包含下列步骤：形成遮罩层于基板上，该遮罩层具有至少两个开口；形成两条沟槽于这两个开口下方之基板中，这两条沟槽之间形成主动区域；形成介电区块于该沟槽中，该介电区块之上表面不对齐该基板之上表面；进行掺杂工艺，将含氮掺质植入该主动区域之基板中；以及进行热氧化工艺以形成栅氧化层于该主动区域之基板的上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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