[发明专利]多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法有效
申请号: | 200610001055.X | 申请日: | 2006-01-16 |
公开(公告)号: | CN101005016A | 公开(公告)日: | 2007-07-25 |
发明(设计)人: | 杨芸佩;邓德华;施智仁;吕佳谦 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种多晶硅层的制造方法,其先提供一基板,此基板具有正面与背面。接着,依序形成缓冲层、非晶硅层与顶盖层于基板的正面上。再来,图形化顶盖层而形成一图形化顶盖层,其暴露出部分非晶硅层,其中所暴露出的部分非晶硅层的区域是一结晶开始区域。继之,形成金属催化剂层于图形化顶盖层上,且金属催化剂层与结晶开始区域中的非晶硅层接触。之后,对基板的背面进行激光加热制程,使非晶硅层自结晶开始区域结晶并转变成多晶硅层。此多晶硅层的制造方法可解决加热时间过长的问题。 | ||
搜索关键词: | 多晶 以及 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多晶硅层的制造方法,包括:提供一基板,该基板具有一正面与一背面;依序形成一缓冲层、一非晶硅层与一顶盖层于该基板的该正面上;图形化该顶盖层以形成一图形化顶盖层,并暴露出部分该非晶硅层,其中所暴露出的部分该非晶硅层的区域是一结晶开始区域;形成一金属催化剂层于该图形化顶盖层上,且该金属催化剂层与该结晶开始区域中的该非晶硅层接触;以及对该基板的该背面进行一激光加热制程,使该非晶硅层自该结晶开始区域结晶并转变成一多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造