[发明专利]多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法有效

专利信息
申请号: 200610001055.X 申请日: 2006-01-16
公开(公告)号: CN101005016A 公开(公告)日: 2007-07-25
发明(设计)人: 杨芸佩;邓德华;施智仁;吕佳谦 申请(专利权)人: 中华映管股份有限公司
主分类号: H01L21/20 分类号: H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种多晶硅层的制造方法,其先提供一基板,此基板具有正面与背面。接着,依序形成缓冲层、非晶硅层与顶盖层于基板的正面上。再来,图形化顶盖层而形成一图形化顶盖层,其暴露出部分非晶硅层,其中所暴露出的部分非晶硅层的区域是一结晶开始区域。继之,形成金属催化剂层于图形化顶盖层上,且金属催化剂层与结晶开始区域中的非晶硅层接触。之后,对基板的背面进行激光加热制程,使非晶硅层自结晶开始区域结晶并转变成多晶硅层。此多晶硅层的制造方法可解决加热时间过长的问题。
搜索关键词: 多晶 以及 薄膜晶体管 制造 方法
【主权项】:
1.一种多晶硅层的制造方法,包括:提供一基板,该基板具有一正面与一背面;依序形成一缓冲层、一非晶硅层与一顶盖层于该基板的该正面上;图形化该顶盖层以形成一图形化顶盖层,并暴露出部分该非晶硅层,其中所暴露出的部分该非晶硅层的区域是一结晶开始区域;形成一金属催化剂层于该图形化顶盖层上,且该金属催化剂层与该结晶开始区域中的该非晶硅层接触;以及对该基板的该背面进行一激光加热制程,使该非晶硅层自该结晶开始区域结晶并转变成一多晶硅层。
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