[发明专利]具有锗化硅材料和受应力氮化硅层的衬底无效
| 申请号： | 200610001186.8 | 申请日： | 2006-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1822337A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 蕾扎·阿嘎娃尼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件的方法包括在衬底上提供搀杂硅区域，并且在衬底上邻近该搀杂硅区域形成锗化硅材料。受应力氮化硅层被形成在衬底上的搀杂硅区域的至少一部分上。锗化硅层和受应力氮化硅层在衬底上的搀杂硅区域中引入应力。在一个版本中，半导体器件具有源极区域和漏极区域的晶体管，其中源极区域和漏极区域具有锗化硅材料，并且搀杂硅区域形成配置为在源极区域和漏极区域之间导通电荷的沟道。受应力氮化硅层形成在该沟道的至少一部分上，并且根据期望的器件特性可以是受拉应力或压应力的层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 锗化硅 材料 应力 氮化 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：(a)在衬底上形成搀杂硅区域；(b)在所述衬底上邻近所述搀杂硅区域形成锗化硅材料，以在所述搀杂硅区域中引入应力；以及(c)在所述衬底上至少部分所述搀杂硅区域上形成受应力氮化硅层，以进一步加压所述搀杂硅区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
