[发明专利]半导体元件的金属层直接图案化制作方法有效
| 申请号： | 200610001276.7 | 申请日： | 2006-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101000873A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 萧名男;姜信铨;庄博全 | 申请（专利权）人： | 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种于半导体元件中的金属层直接图案化的制作方法，是用于解决以全面基板沉积薄膜、黄光光刻(Photolithography)技术制作晶体管结构时造成的材料耗费与时程，其主要步骤包括催化反应层(种晶层)材料的图案化定义、以及选择性薄膜沉积(成长)，其中更使用直接图案化种晶技术与化学镀浴沉积技术，提供一非真空、选择性沉积的薄膜成长制程，可应用半导体元件中的导线、电极，或于大面积晶体管数组或大面积功能性(如反射层)薄膜的沉积、制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 金属 直接 图案 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的金属层直接图案化制作方法，其特征在于包括有下列步骤：备置一基础结构；借一屏蔽于该基础结构上定义图案；浸泡该已定义图案的基础结构于一溶液中，形成一种晶层；移除该屏蔽；进行化学镀浴沉积，是将该已移除屏蔽的图案化种晶层置于一化学镀浴沉积溶液中；以及形成一金属薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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