[发明专利]半导体元件之电容器与金属栅极之制造方法有效
| 申请号： | 200610001345.4 | 申请日： | 2006-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1822349A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 涂国基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 包红健 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件之电容器与金属栅极之制造方法，至少包括在基材上形成虚拟(dummy)栅极，在此基材上形成第一介电层并邻接此虚拟栅极，在此第一介电层层中形成电容器沟槽，在此电容器沟槽中形成下电极层，移除此虚拟栅极以提供栅极沟槽，在此电容器沟槽与此栅极沟槽中形成第二介电层，与在此电容器沟槽与此栅极沟槽中此第二介电层上形成金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 电容器 金属 栅极 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器与金属栅极之制造方法，其特征是该方法至少包含：在基材上形成虚拟栅极；在该基材上形成第一介电层并邻接该虚拟栅极；在该第一介电层中形成电容器沟槽；在该电容器沟槽中形成下电极；移除该虚拟栅极以提供栅极沟槽；在该电容器沟槽之该下电极上与该栅极沟槽中形成第二介电层；以及在该电容器沟槽与该栅极沟槽中之该第二介电层上方形成金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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