[发明专利]氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 200610001476.2 | 申请日： | 2006-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1841797A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 金显炅;申贤秀;李赫民;片仁俊;金昌完 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有矩形俯视外形的氮化物半导体发光器件，其中n电极和p电极结果被适当地形成，以改善电流的传播并增强亮度。该发光器件包括：n型氮化物半导体层，形成于衬底上；以及n电极，包括n侧焊盘和从n侧焊盘延伸出的指型n电极。该器件还包括：台面结构，包括按顺序沉积的有源层和p型氮化物半导体层；欧姆接触层，形成于台面结构的基本全部上表面上；以及p电极，包括p侧焊盘以及从p侧焊盘延伸出的指型p电极。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有由两条短边和两条长边所构成的矩形俯视外形的氮化物半导体发光器件，其包括：n型氮化物半导体层，形成于衬底上；n电极，包括从所述n型氮化物半导体层的上表面上的一个角扩展出的n侧焊盘，以及从所述n侧焊盘延伸出的指型n电极；台面结构，包括有源层和p型氮化物半导体层，其按顺序沉积在所述n型氮化物半导体层的没有形成所述n电极的部分上；欧姆接触层，形成于所述台面结构的基本全部上表面上；以及p电极，包括从未构成所述n侧焊盘所在角的短边的中心扩展出的p侧焊盘，以及从所述p侧焊盘延伸出的指型p电极。
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