[发明专利]嵌入式薄层电容器、分层结构、及其制造方法无效
| 申请号： | 200610001500.2 | 申请日： | 2006-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1892934A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 申孝顺;尹顺吉;朴殷台;柳寿铉 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/10 | 分类号： | H01G4/10;H01G4/008;H05K1/03;H05K3/30;H01G2/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄层电容器，其包括第一和第二金属电极层以及置于金属层之间的具有介电常数至少为15的基于BiZnNb(铋锌铌)的非晶体金属氧化物介电层，并且涉及一种具有其的分层结构。分层结构包括：第一金属电极层，形成在基于聚合物的复合衬底上；介电层，形成在第一金属电极层上，且由具有介电常数至少为15的基于BiZnNb的非晶体金属氧化物制成；以及第二金属电极层，形成在介电层上。本发明中的基于BiZnNb的非晶体金属氧化物在未经过用于结晶的热处理的情况下具有高介电常数，这对于制造基于聚合物的分层结构(例如PCB)的薄层电容器是有用的。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 薄层 电容器 分层 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄层电容，包括第一和第二金属电极层以及置于所述金属层之间的基于BiZnNb的非晶体金属氧化物的介电层，所述介电层的介电常数至少为15。
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