[发明专利]等离子反应器顶置源功率电极无效
| 申请号： | 200610001547.9 | 申请日： | 2006-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1812684A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·A·小布什伯格;丹尼尔·J·霍夫曼;欧加·莱格拉曼;詹姆斯·卡达希;堀冈启治;蒋国杨 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H05H1/34 | 分类号： | H05H1/34;H01J37/32;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种形成等离子反应器顶部至少一部分的顶置气体分布电极，其具有面对反应器处理区的底表面。该电极包括气体供应歧管和多个压降圆柱形孔，前者用于在所述电极顶部处接收供应压力下的处理气体，后者从每个孔的一端处的气体供应歧管相对于电极轴向延伸。电极内的径向气体分布歧管跨越电极径向延伸。多个轴向延伸高导通率气流通道将多个压降孔中各个的相对端耦合到径向气体分布歧管。多个高导通率圆柱形出气孔形成在电极的面对等离子的底表面中并轴向延伸到径向气体分布歧管。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 反应器 顶置源 功率 电极 | ||
【主权项】：
1.一种径向延伸气体分布电极，在用于对等离子反应器的真空室中支撑底座上的工件进行处理的所述反应器中，所述电极形成所述反应器顶部的至少一部分，所述电极是所述反应器的RF等离子源功率施加器并具有面对所述反应器处理区的底表面，所述电极包括：气体供应歧管，其用于在所述电极顶部处接收供应压力下的处理气体；多个压降圆柱形孔，其从每个孔的一端处的所述气体供应歧管相对于所述电极轴向延伸；径向气体分布歧管，其在所述电极内沿所述电极径向延伸；多个轴向延伸高导通率气流通道，其将所述多个压降孔中各个的相对端耦合到所述径向气体分布歧管；和多个高导通率圆柱形出气孔，其形成在所述电极的所述底表面中并轴向延伸到所述径向气体分布歧管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610001547.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
