[发明专利]快闪记忆卡的封装方法无效
| 申请号： | 200610001550.0 | 申请日： | 2006-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101005040A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 刘钦栋 | 申请（专利权）人： | 刘钦栋 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;G06K19/07 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及快闪记忆卡的封装方法，其包含了一形成保护膜的步骤。保护膜的目的是用来保护该电路，而不受移动(movement)和后续射出成型制程中的热源的影响。通过在射出成型中对快闪记忆卡构成密封时，此保护膜可保护电路板上的电路。射出成型步骤用来密封此基板在主体结构中。此保护膜类似于蛋壳内的膜，以及通过射出成型步骤所构成，使得本发明封装方法被称为蛋壳式射出成型(eggshell insert molding，ESIM)。本发明确实能应用于改良已知COB和SMT封装方法。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快闪记忆卡的封装方法，该方法包括：黏贴一被动组件至一印刷电路板的表面上；切割一晶圆成一晶粒；上片(mounting)该晶粒至该印刷电路板上；黏贴该晶粒至该印刷电路板上；通过切割形成一印刷电路板的基板；在具有该被动组件和该晶粒的该基板上形成一保护膜；以及与基板射出成型而形成一体的结构。
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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