[发明专利]顶栅型薄膜晶体管无效
| 申请号： | 200610001588.8 | 申请日： | 2003-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1825629A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 山田努;濑川泰生;青田雅明 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种将栅极电极形成于有源层之上层的顶栅型TFT，覆盖TFT有源层(24)以及栅极绝缘膜(30)、栅极电极(36)而形成的层间绝缘膜(40)，采用由有源层侧积层SiNx膜(42)、SiO2膜(44)的积层结构，SiNx膜(42)的厚度，设定为50nm至200nm左右，更优选100nm左右，借助于设定为上述厚度，可对下层的多结晶Si有源层(24)供给充足的终止悬空键用的氢，并维持形成于该层间绝缘膜(40)的接触孔等的形成精度。从而可提高多结晶SiTFT的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 顶栅型 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种栅极电极形成在有源层上层的顶栅型薄膜晶体管，具备：半导体膜；除对应接触孔的区域外，覆盖所述半导体膜的栅极绝缘膜，其中所述栅极绝缘膜具有至少一氧化硅膜；形成于所述栅极绝缘膜上的栅极电极：以及覆盖所述栅极电极与所述栅极绝缘膜而形成的层间绝缘膜，其特征为，所述层间绝缘膜具有：由所述栅极绝缘膜侧依序积层氮化硅膜与氧化硅膜的积层结构；所述氮化硅膜的厚度是在50nm以上200nm以下；以及所述接触孔形成贯通所述层间绝缘膜与所述栅极绝缘膜，其中所述接触孔具有由上层至下层逐渐减小的内径。
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