[发明专利]相变化存储元件及其形成方法有效
| 申请号： | 200610001614.7 | 申请日： | 2006-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1897320A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 黄健朝 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变化存储元件及其形成方法，可降低相变化体积且具有较低驱动电流。该存储元件的形成方法包括，形成一底部绝缘层，包括一下电极接点；在该下电极接点上形成一下电极；在该下电极上形成一抗反射层；图案化及蚀刻该抗反射层及该下电极，形成一具有侧边的下电极；以及在该抗反射层上形成一相变化材料层，其中该相变化材料层与该下电极侧边相接触。该存储元件的形成方法更包括形成一上电极于该相变化材料层上，以及形成一上电极接点于该上电极上。本发明可降低制程复杂度及成本，且可降低写入电流。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变化存储元件，包括：一底部绝缘层及一下电极接点，自该底部绝缘层的顶部表面延伸至底部表面；一下电极，置于至少部分该下电极接点以及部分该底部绝缘层之上，且该下电极具有一侧边；一绝缘层，置于该下电极之上；一相变化材料层，置于该绝缘层上并延伸至该底部绝缘层上，其中该相变化材料层接触该下电极的侧边；以及一上电极，置于该相变化材料层之上。
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