[发明专利]可改善写入范围的磁性随机存储器无效
| 申请号： | 200610001624.0 | 申请日： | 2006-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101004920A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 陈威全;王泳弘;杨姗意;沈桂弘 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;徐金国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可改善写入范围的磁性存储器，包括有一磁性穿隧接面组件与一调整层，磁性穿隧接面组件由一反铁磁层、一固定层、一穿隧能障绝缘层与一自由层组成，其中该反铁磁层、该固定层、该穿隧能障绝缘层与该自由层依序形成。调整层形成于磁性穿隧接面组件的一侧并与自由层接触。其中调整层的厚度为20纳米(nm)以下，所使用的材料为钌(Ru)金属或含有钌的材料，本发明所公开的可改善写入范围的磁性存储器，得以改善自由层翻转一致性并且减小自由层的翻转场，以降低写入线(write word line)所需提供的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 写入 范围 磁性 随机 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种可调整写入范围的磁性随机存储器，其特征在于，包括有：一磁性穿隧接面组件，包括有一反铁磁层、一固定层、一穿隧能障绝缘层与一自由层；以及一调整层，形成于该磁性穿隧接面组件的一侧，并与该自由层接触。
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