[发明专利]改善感光集成电路之光子表现之方法

摘要

本发明提供一种形成在内层介电层(ILD)的导光特征(light－directing feature)，结合抗反射层(AR)，可同时有效增加量子效率与抗扰性，因此改善感光集成电路之光子表现的方法。其步骤包含形成多个光传感器单元在半导体基材上，接着，形成抗反射层在这些光传感器单元上，此抗反射层实质上不会使入射光产生反射，然后，形成内层介电层在此抗反射层之上，其中内层介电层包含形成在其开口的多个导光特征，且这些导光特征位于抗反射层上以及部分光传感器单元之上方。

主权项

1.一种感光集成电路，其特征是至少包含：半导体基材；多个光传感器单元，在该半导体基材上；抗反射层，形成在上述这些光传感器单元上，其中该抗反射层实质上不反射入射光；内层介电层，形成在该抗反射层上，其中该内层介电层至少包含多个开口，每一开口形成在位于该抗反射层上以及部分之上述这些光传感器单元的上方之该内层介电层；以及多个导光特征，形成在上述这些开口，其中上述这些导光特征形成在上述这些开口中的反射层，可操作来引导以垂直角度与倾斜角度进入上述这些开口的光线进入上述这些光传感器单元。