[发明专利]半导体等离子处理设备及方法有效
| 申请号： | 200610001645.2 | 申请日： | 2006-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1842241A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 金炯俊;李奇英 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 武玉琴;黄永武 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体等离子处理设备，消除了电感耦合等离子源经常产生的侧边基团浓度较高的现象，从而提高了其中的蚀刻均匀性。该设备包括：远程等离子源，用于通过激活处理气体而产生大量的基团和离子；处理室，其具有让被激活的处理气体通过的入口；设置在处理室中的基座，在该基座上安置晶片；以及设置在处理室中的电感耦合等离子源，用于向被激活的处理气体提供高频能量。利用所述的远程和电感耦合等离子源，产生大量的足以进行蚀刻过程的基团和离子，因此，蚀刻反应活泼地进行，从而提高蚀刻效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 等离子 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体等离子处理设备，包括：远程等离子源，用于激活处理气体而产生基团和离子；具有入口的处理室，所述被激活的处理气体经由该入口流进所述处理室；设置在所述处理室中的基座，在该基座上安置晶片；以及设置在所述处理室中的电感耦合等离子源，用于向所述被激活的处理气体提供高频能量。
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