[发明专利]采用电感实现的射频信号集成静电释放保护电路有效
申请号: | 200610001709.9 | 申请日: | 2006-01-23 |
公开(公告)号: | CN101009276A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 郭慧民;陈杰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60;H01L23/66 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 段成云 |
地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于微电子学与固体电子学领域的超大规模集成电路设计,是一种采用电感实现的射频信号集成静电释放保护电路。这种集成静电释放保护电路中的焊盘里没有传统的静电释放保护电路,静电释放保护由连接在射频输入/输出信号和地之间的电感实现,静电释放保护电感的值由对静电释放抵抗能力的要求和芯片的信号输入频率决定。阻抗匹配电路采用片上电容和片上电感。在设计阻抗匹配电路时,将用作静电释放保护的电感和焊盘引入的寄生电容统一考虑在输入匹配电路中,从而同时实现ESD保护电路和输入输出阻抗匹配。与传统静电释放保护电路相比,采用这种静电释放保护电路可以很大程度的减小静电释放保护电路对射频信号的影响。 | ||
搜索关键词: | 采用 电感 实现 射频 信号 集成 静电 释放 保护 电路 | ||
【主权项】:
1.一种CMOS工艺中射频信号集成静电释放保护电路,由用于静电释放保护的电感,不带静电保护电路的焊盘,用于阻抗匹配的电容和电感组成,其特征在于,用于静电释放保护的电感连接在射频输入/输出信号和地之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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