[发明专利]与衬垫集成的静电放电装置无效

专利信息
申请号: 200610001787.9 申请日: 2006-01-25
公开(公告)号: CN101009278A 公开(公告)日: 2007-08-01
发明(设计)人: 黄志丰;简铎欣;林振宇;杨大勇 申请(专利权)人: 崇贸科技股份有限公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L23/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周长兴
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种与衬垫集成的静电放电(ESD)装置的结构,所述ESD装置与所述衬垫集成并形成于所述衬垫之下。通过使用所述衬垫之下的区域,所述ESD装置不占据一集成电路的额外空间。此外,由于所述衬垫为一较大的、平板的且理想的导体,所以所述连接的衬垫和所述ESD装置能够在所述ESD装置中平均分配电流。
搜索关键词: 衬垫 集成 静电 放电 装置
【主权项】:
1.一种与衬垫集成的静电放电装置的结构,所述结构包含:一P型衬底;一N井,其形成于所述P型衬底中作为所述静电放电装置的一部分;至少一第一N+区域,其形成于所述N井外部,所述第一N+区域由场氧化物(field oxide)与所述N井及其内的区域、以及所述P型衬底中的其它掺杂区域绝缘;至少一第一P+区域,其形成于所述N井外部,所述第一P+区域由场氧化物与所述N井及其内的区域、所述P型衬底中的其它掺杂区域和所述第一N+区域绝缘;至少一第二N+区域,其形成于所述N井内部;至少一第二P+区域,其形成于所述N井内部;一第一电极,其经由一包含金属的电导体连接至少一第二N+区域与至少一第二P+区域;一第二电极,其经由另一包含金属的电导体连接所述第一P+区域与所述第一N+区域;和一衬垫,其形成于所述结构的顶部上。
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