[发明专利]制造积层陶瓷基板的方法有效
| 申请号： | 200610001882.9 | 申请日： | 2006-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101009975A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 甘世维;游捷光 | 申请（专利权）人： | 九豪精密陶瓷股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;H05K3/46;H05K3/38;H05K1/03 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 | 代理人： | 胡湘根 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造积层陶瓷基板的方法，该方法将多数个氧化铝陶瓷基板单元上、下堆栈在一起，并于该两陶瓷基板单元之间夹设一烧结时可以成长晶粒的氧化物介质层，再将此夹设有晶粒成长氧化物介质层的堆栈单位基板进行烧结，使上、下单位基板因烧结时氧化物介质层生成的晶粒，进入陶瓷基板单元的表面层晶粒的间的孔隙，而与氧化物介质层产生结合，成为结构紧密坚固的积层陶瓷基板。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造积层陶瓷基板的方法，其特征在于：该方法包括下列步骤：(a)烧制多数以氧化铝材料构成的陶瓷基板单元熟胚并以激光加工技术，使熟胚形成可获得多数大小相同的单位基板的状态；(b)在各单位基板上蚀刻或印刷具有导线、电阻、或电容等电子组件或电路的布局图样；(c)将所述形成有电子组件或电路布局图样的陶瓷基板单元熟胚上、下堆栈在一起，并于所述两陶瓷基板单元熟胚之间，布设有一可以成长晶粒的氧化物介质层；以及(d)再将此夹设有氧化物介质层的堆栈陶瓷基板单元进行烧结，使两陶瓷基板单元熟胚因氧化物介质层所生长的晶粒的作用，与氧化物介质层相互紧密坚固结合成为一体。
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