[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610001958.8 | 申请日： | 2006-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101009327A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈冠博;刘慕义 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，至少是由基底、闸极堆叠结构、掺杂区与高应力材料层所构成的。其中闸极堆叠结构位于基底上，且闸极堆叠结构至少包括由基底表面依序堆叠的介电层与闸极。掺杂区位于闸极堆叠结构侧边。高应力材料层配置在掺杂区上。由于高应力材料层可以提高掺杂区的载子迁移率，因此可加快元件的运作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件，其特征在于其包括：一基底；一闸极堆叠结构，位于该基底上，该闸极堆叠结构至少包括由该基底表面依序堆叠的一介电层与一闸极；一掺杂区，位于该闸极堆叠结构侧边；以及一高应力材料层，配置在该掺杂区上。
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