[发明专利]一种原位合成制备高纯GdH2块体材料的方法无效
| 申请号： | 200610002053.2 | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1803816A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 张久兴;曾宏;岳明;刘丹敏;周身林;左铁镛 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C07F17/00 | 分类号： | C07F17/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属氢化物材料制备领域。一般稀土氢化物只能以粉末的形式存在，且难获得单一成分的氢化物。本发明包括以下步骤：利用氢电弧等离子装置，以纯钆作为阳极，金属钨作为阴极，氢气和氩气体积比为0.2－0.8，总压力100－650torr，选择电弧电流50－150A，电弧电压10－50V，起弧时间0.5－2小时将制备成钆的氢化物纳米颗粒；置入高纯氩气体保护的预处理室，装入石墨模具并预压成型，压力10－30MPa；将预压成型的生坯放电等离子烧结，烧结工艺参数为：烧结温度为750－900℃，压力为30－50MPa，烧结脉冲比为1∶12，升温速率为50－80℃/min；烧结完样品随炉冷却得到具有高纯度的GdH2块体材料。本发明提供的稀土钆元素的氢化物块体材料具有良好的显微组织结构，且纯度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 合成 制备 高纯 gdh sub 块体 材料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种原位合成制备高纯GdH2块体材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)利用氢电弧等离子装置，以纯钆作为阳极，金属钨作为阴极；在氢气和氩气的混合气氛下，氢气和氩气体积比在0.2-0.8之间，总压力100-650torr范围，选择电弧电流50-150A，电弧电压10-50V，起弧时间0.5-2小时将原料制备成稀土元素钆的氢化物纳米颗粒；2)将上述的钆的氢化物纳米颗粒置入氩气体保护的预处理室，将纳米氢化钆粉装入石墨模具并预压成型，压力范围10-30MPa；3)将上述的经预压成型的稀土元素钆的氢化物纳米颗粒生坯，利用放电等离子快速烧结技术将压坯烧结成为具有高纯度的GdH2块体材料，具体烧结工艺参数为：烧结温度为750-900℃，烧结压力为30-50Mpa，烧结脉冲比为1∶12，烧结升温速率为50-80℃/min；烧结完样品随炉自然冷却。
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