[发明专利]一种曝光方法及曝光处理装置无效
| 申请号： | 200610002085.2 | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1808270A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 浅野昌史;小峰信洋;井上壮一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种监测方法，可以高精度地测定微细图形加工尺寸。该监测方法包括以下步骤：在衬底膜(2)上形成至少一边有对衬底膜(2)的表面倾斜的倾斜侧壁(20)的监测抗蚀剂图形(13)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的监测抗蚀剂图形(13)的宽度；以监测抗蚀剂图形(13)作为掩模，选择性腐蚀衬底膜(2)来形成监测衬底膜图形(12)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的所述监测衬底膜图形(12)的宽度；以及根据监测抗蚀剂图形(13)的宽度和监测衬底膜图形(12)的宽度之差，获得偏移宽度Δs。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 曝光 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种曝光方法，其特征在于，包括：将半导体衬底区分为多个曝光区域的步骤；以及按所述半导体衬底的位置坐标函数来近似设定所述多个曝光区域的曝光量的步骤。
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