[发明专利]一种光源集成的光子晶体带隙限制光波导无效
申请号: | 200610002144.6 | 申请日: | 2006-01-19 |
公开(公告)号: | CN1800890A | 公开(公告)日: | 2006-07-12 |
发明(设计)人: | 黄翊东;李飞;唐选;张巍;彭江得 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G02B6/02 | 分类号: | G02B6/02;H01S5/00;G02B6/13 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于光电子技术领域,其特征在于,它把光子晶体带隙限制光波导与一种由作为半导体有源发光器件的半导体激光二极管在同一个半导体材料衬底上集成,通过结构的设计和工艺调节,将半导体激光二极管或者半导体发光二极管的出射光场控制在光子晶体带隙限制光波导端面,使其高效率地激励起光子晶体带隙限制光波导中的缺陷模式光场,这样就不需要外部的激励光源和精密对准调节架等设备,而且,不需要外部位置调节,稳定性好,器件的尺度可以小于2mm,为光子晶体带隙限制波导在信息、传感,特别是光子集成等领域中的实际应用提供可能。 | ||
搜索关键词: | 一种 光源 集成 光子 晶体 限制 波导 | ||
【主权项】:
1、一种将光源集成的在一起的光子晶体带隙限制光波导,其特征在于,它通过把光子晶体带隙限制光波导与一种由作为半导体有源发光器件的半导体激光二极管在同一个InP材料衬底上集成,由位于光子晶体带隙限制光波导端面的半导体激光二极管的出射光场通过该端面耦合激励起光子晶体带隙限制光波导中的缺陷模式光场。
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