[发明专利]半绝缘性GaAs晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 200610002268.4 | 申请日： | 2006-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1821453A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 矢吹伸司;和地三千则;大宝幸司 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明通过对由LEC法或纵型熔融液法(VB法、VGF法)得到的GaAs结晶，将晶片的面内位错密度(EPD值)和残留应力值限定在一定范围，可以制造出在离子注入后的活性化退火这样的热处理中不会发生滑动位错的半绝缘性GaAs晶片。本发明可以得到晶片面内的位错密度(EPD)处于3×104个/cm2≤EPD≤1×105个/cm2的范围，并且由光弹性测定得到的晶片面内残留应力值(|Sr－St|)处于小于等于1.8×10－5的范围，而且直径大于等于15.24cm(6英寸)的半绝缘性GaAs晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘性 gaas 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半绝缘性GaAs晶片，其为直径大于等于10.16cm(4英寸)的半绝缘性GaAs晶片，其特征在于，晶片面内的位错密度(EPD)为30,000个/cm2～100,000个/cm2。
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