[发明专利]发光二极管结构无效
| 申请号： | 200610002339.0 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101009342A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李允立;温子稷;武良文;陈启瑞;简奉任 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 台湾省桃园县龙潭乡*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管结构，其包括：基板、第一型掺杂半导体层、绝缘层、多个发光层、第二型掺杂半导体层、第一接垫以及第二接垫。第一型掺杂半导体层位于基板上，具有多个开孔的绝缘层位于第一型掺杂半导体层上，以暴露出部分的第一型掺杂半导体层，多个发光层分别设置于绝缘层中所对应的开孔内，第二型掺杂半导体层位于绝缘层及发光层上，第一接垫位于第一型掺杂半导体层上，且与第一型掺杂半导体层电连接，第二接垫位于第二型掺杂半导体层上，且与第二型掺杂半导体层电连接。此外，本发明也可通过空气间隙使各发光层相互独立。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管结构，其特征是包括：基板；第一型掺杂半导体层，位于该基板上；绝缘层，位于该第一型掺杂半导体层上，该绝缘层具有多个开孔，以暴露出部分该第一型掺杂半导体层；多个发光层，分别设置于该绝缘层中对应的上述这些开孔内；第二型掺杂半导体层，位于该绝缘层及上述这些发光层上；第一接垫，位于该第一型掺杂半导体层上，且与该第一型掺杂半导体层电连接；以及第二接垫，位于该第二型掺杂半导体层上，且与该第二型掺杂半导体层电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于璨圆光电股份有限公司，未经璨圆光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610002339.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
