[发明专利]介电层以及形成此介电层之组合物及方法有效
| 申请号： | 200610002340.3 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101009223A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 林蔚伶;林鹏;胡堂祥;陈良湘 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/312;H01L29/51;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王昕 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用以制造介电层之组合物，其包括一种用以作为高介电前驱物的液态有机金属化合物、一种感光型或非感光型高分子介质及溶剂，其中液态的有机金属化合物如Al、Ti、Zr、Ta、Si、Ba、Ge或Hf的金属烷氧化物。此组合物所形成的介电层除了包括感光型或非感光型高分子介质之外，在感光型或非感光型高分子介质中还具有非晶相的金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 以及 形成 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种介电层的制造方法，其特征是包括：将组合物形成在基底上，上述组合物包括：有机金属化合物，作为高介电前驱物；感光型或非感光型高分子介质；以及溶剂；以及进行烘烤工序，以去除上述溶剂，并使得上述有机金属化合物中的金属形成金属氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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