[发明专利]储存电荷元件的制造方法无效
| 申请号： | 200610002341.8 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101009216A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 梁虔硕;曾培哲;李亨元;李隆盛 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8242;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种储存电荷元件的制造方法，利用原子层沉积法能精确控制薄膜成长厚度以及硅含量的特性，在沉积氧化硅铪HfxSiyOz的过程中，渐变式改变硅含量，因此可容易的制作出堆叠的渐变材料层。然后，利用硅含量y会影响氢氟酸溶液对氧化硅铪HfxSiyOz蚀刻率的特性，使经稀释氢氟酸溶液蚀刻后的堆叠的渐变材料层侧壁轮廓呈现不规则状。由于下电极、电容介电层、上电极是形成在具有不规则轮廓的渐变式的堆叠绝缘层的侧壁上，因此可以增加下电极与上电极之间所夹的面积，而可以提高储存电荷元件的储存量。 | ||
| 搜索关键词： | 储存 电荷 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种储存电荷元件的制造方法，其特征是包括：提供基底；于该基底上形成堆叠绝缘层，该堆叠绝缘层由多层渐变材料层所构成，上述这些渐变材料层之材质的通式为bycz或axbycz，a、b、c分别表示不同的元素，其中从各上述这些渐变材料层的底部至顶部，该y值逐渐改变，x+y+z值固定为100％；于该堆叠绝缘层上形成掩膜层；图案化该掩膜层及该堆叠绝缘层，以形成暴露该基底之开口；进行蚀刻步骤，使该开口具有不规则形状之侧壁；以及于该开口侧壁及该基底上形成下电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
